MPCVD 单晶金刚石生长工艺的生长原理是什么呢？

随着科技的发展，金刚石的生长方式越来越多样，今天，和瑞MPCVD设备厂家带你来了解一下，其中的MPCVD 单晶金刚石生长工艺生长原理是什么呢？

生长 MPCVD 单晶金刚石所用气源主要有氢气( H2) 、甲烷( CH4) 、氮气( N2) 和氧气( O2) ，在微波源的作用下裂解成 H、O、N 原子或 CH2、CH3、C2H2、OH 等基团。含碳基团( CH2、CH3、C2H2) 将在金刚石表面形成气固混合界面，在动态平衡模型或非平衡热力学模型下实现金刚石( sp3) 、非晶碳或石墨( sp2) 的生长。氢等离子体刻蚀非晶碳或石墨( sp2) 的速度比刻蚀金刚石( sp3) 快得多，因此 CVD 金刚石表面的非金刚石相被快速刻蚀，从而实现金刚石生长。

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